真空干燥参数对TFT栅极光刻性能的影响

doi:10.16818/j.issn1001-5868.2021.04.011

	真空干燥参数对TFT栅极光刻性能的影响
其他题名	Effect of Vacuum Drying Parameters on Gate Photolithography Performance of TFT
	刘丹 1,2; 黄晟 1; 黄中浩 1; 刘毅 1,3; 陈启超 1; 吴旭 1; 吴良东 1; 闵泰烨 1; 王灿 1; 樊超 1
	2021-08-15
发表期刊	Bandaoti Guangdian/Semiconductor Optoelectronics
ISSN	1001-5868
卷号	42 期号:04 页码:504-510
摘要	液晶显示器薄膜晶体管(TFT)的栅极需经光刻工艺制得。在光刻工艺中,除曝光与显影环节外,光刻胶显影后的关键尺寸(DICD)和锥角(Taper)还受到真空干燥参数的影响。为此,文章以干燥制程的慢抽时间、保压时间和底压为自变量,DICD和Taper为因变量,采用全因子实验,研究了真空干燥制程对光刻胶DICD和Taper的影响。结果表明:慢抽时间和底压产生的影响较小,保压时间则是关键参数:随着保压时间增加,DICD增加、Taper降低。这是因为随着保压时间增加,光刻胶中的溶剂挥发总量增加,光刻胶更致密,显影速度下降,导致DICD增加;同时,光刻胶顶部溶剂挥发量增加,顶部感光剂浓度增加,导致顶部侧向显影程度增加,最终造成光刻胶Taper下降。此外,建立了DICD和Taper与保压时间的回归方程,可以预测光刻效果,或者由预期的光刻效果反推出所需的保压时间。此工作可为薄膜晶体管光刻产线的参数优化和产品良率提升提供参考。
关键词	薄膜晶体管栅极光刻减压真空干燥全因子实验关键尺寸坡度角
DOI	10.16818/j.issn1001-5868.2021.04.011
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收录类别	北大核心 ; ISTIC ; PKU
语种	中文
原始文献类型	学术期刊
文献类型	期刊论文
条目标识符	https://ir.cqcet.edu.cn/handle/39TD4454/4264
专题	人工智能与大数据学院
作者单位	1.重庆京东方光电科技有限公司; 2.重庆大学物理学院; 3.中国科学院大学重庆学院; 4.重庆大学计算机学院; 5.重庆电子工程职业学院
推荐引用方式 GB/T 7714	刘丹,黄晟,黄中浩,等. 真空干燥参数对TFT栅极光刻性能的影响[J]. Bandaoti Guangdian/Semiconductor Optoelectronics,2021,42(04):504-510.
APA	刘丹.,黄晟.,黄中浩.,刘毅.,陈启超.,...&方亮.(2021).真空干燥参数对TFT栅极光刻性能的影响.Bandaoti Guangdian/Semiconductor Optoelectronics,42(04),504-510.
MLA	刘丹,et al."真空干燥参数对TFT栅极光刻性能的影响".Bandaoti Guangdian/Semiconductor Optoelectronics 42.04(2021):504-510.

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真空干燥参数对TFT栅极光刻性能的影响.（2332KB）	期刊论文	出版稿	开放获取	CC BY-NC-SA	浏览下载